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BFY50-QR-B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, METAL CAN, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小130KB,共3页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BFY50-QR-B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, METAL CAN, TO-39, 3 PIN

BFY50-QR-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明METAL CAN, TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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SILICON
NPN TRANSISTOR
BFY50
V(BR)CEO = 35V (Min).
Hermetic TO-39 Metal Package.
Ideally Suited General Purpose Amplifier Applications
Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TA = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ
Tstg
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
TA = 25°C
Total Power Dissipation at
Derate Above 25°C
TC = 25°C
Total Power Dissipation at
Derate Above 25°C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
80V
35V
6V
1.0A
0.8W
4.57mW/°C
5W
28.6mW/°C
-65 to +200°C
-65 to +200°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
R
θJA
R
θJC
Parameters
Thermal Resistance, Junction To Ambient
Thermal Resistance, Junction To Case
Max.
218.75
35
Units
°C/W
°C/W
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to
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Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email:
sales@semelab-tt.com
Document Number 3085
Issue 2
Page 1 of 3
Website:
http://www.semelab-tt.com

BFY50-QR-B相似产品对比

BFY50-QR-B BFY50-QR-BG4 BFY50.MODE4 BFY50.MOD
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, METAL CAN, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, METAL CAN, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, METAL CAN, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, METAL CAN, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合
包装说明 METAL CAN, TO-39, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 35 V 35 V 35 V 35 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30
JEDEC-95代码 TO-205AD TO-205AD TO-205AD TO-205AD
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
厂商名称 TT Electronics plc - TT Electronics plc TT Electronics plc
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