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ICL7605CJN: 产品描述Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小884KB，共12页; 制造商General Electric Solid State

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ICL7605CJN概述

Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,

ICL7605CJN规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	General Electric Solid State
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
JESD-30 代码	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V
功能数量	1
端子数量	18
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	+-5 V
认证状态	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

ICL7605CJN相似产品对比

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描述	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18,	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18	Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	General Electric Solid State	General Electric Solid State	General Electric Solid State	General Electric Solid State	General Electric Solid State	General Electric Solid State	General Electric Solid State	General Electric Solid State	General Electric Solid State
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
JESD-30 代码	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18	18	18	18	18	18
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	125 °C	125 °C	85 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-	-	-25 °C	-55 °C	-55 °C	-25 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	OTHER	MILITARY	MILITARY	OTHER	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V	-	-	-	-	-5 V	-5 V	-5 V	-5 V
电源	+-5 V	-	-	-	-	+-5 V	+-5 V	+-5 V	+-5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	-	-	-	5 V	5 V	5 V	5 V

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