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ICL7606MJN/C

产品描述Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小884KB,共12页
制造商General Electric Solid State
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ICL7606MJN/C概述

Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18

ICL7606MJN/C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称General Electric Solid State
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
功能数量1
端子数量18
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class C
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

ICL7606MJN/C相似产品对比

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描述 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18, Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18 Instrumentation Amplifier, 1 Func, CMOS, CDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State General Electric Solid State
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER
JESD-30 代码 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18 18 18 18 18 18
最高工作温度 125 °C 70 °C 85 °C 125 °C 70 °C 85 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -25 °C -55 °C - -25 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL OTHER MILITARY COMMERCIAL OTHER MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
标称负供电电压 (Vsup) - - - - -5 V -5 V -5 V -5 V -5 V
电源 - - - - +-5 V +-5 V +-5 V +-5 V +-5 V
标称供电电压 (Vsup) - - - - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V

 
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