DS1745YLPM-200-IND,DS1745YLPM-200-IND pdf中文资料,DS1745YLPM-200-IND引脚图,DS1745YLPM-200-IND电路-Datasheet-电子工程世界

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DS1745YLPM-200-IND: 产品描述Non-Volatile SRAM, 128KX8, 200ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小553KB，共12页; 制造商Maxim(美信半导体); 官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html

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DS1745YLPM-200-IND概述

Non-Volatile SRAM, 128KX8, 200ns, CMOS

DS1745YLPM-200-IND规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	200 ns
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
端子数量	34
字数	131072 words
字数代码	128000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	MODULE,34LEAD,1.0
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.04 mA
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL

DS1745YLPM-200-IND相似产品对比

	DS1745YLPM-200-IND	DS1745YL-150-IND	DS1745YL-200
描述	Non-Volatile SRAM, 128KX8, 200ns, CMOS	Non-Volatile SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS,	Non-Volatile SRAM, 128KX8, 200ns, CMOS,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	200 ns	150 ns	200 ns
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8	8	8
端子数量	34	34	34
字数	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-
组织	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	MODULE,34LEAD,1.0	MODULE,34LEAD,1.0	MODULE,34LEAD,1.0
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL

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