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K6F4016U6G-EF70T

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48
产品类别存储    存储   
文件大小163KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6F4016U6G-EF70T概述

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48

K6F4016U6G-EF70T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000003 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.022 mA
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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