Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, CDIP8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 3000 ns |
| 其他特性 | FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | TOTEM POLE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.00025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| FM24CZ16-C | FM24CZ16-PS | FM24CZ16-S | FM24CZ16-PT | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, CDIP8 | Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDIP8 | Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDSO8 | Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDIP8 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 | SOP, SOP8,.25 | DIP, DIP8(UNSPEC) |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 3000 ns | 3000 ns | 3000 ns | 3000 ns |
| 其他特性 | FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES | FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES | FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES | FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 输出特性 | TOTEM POLE | TOTEM POLE | TOTEM POLE | TOTEM POLE |
| 可输出 | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | SOP8,.25 | DIP8(UNSPEC) |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 | 240 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.00025 mA | 0.00025 mA | 0.00025 mA | 0.00025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | - |
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