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FM24CZ16-PT: 产品描述Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDIP8; 产品类别存储存储; 文件大小321KB，共8页; 制造商Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation); 官网地址http://www.cypress.com/

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FM24CZ16-PT概述

Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDIP8

FM24CZ16-PT规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
包装说明	DIP, DIP8(UNSPEC)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	3000 ns
其他特性	FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	8
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
输出特性	TOTEM POLE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.00025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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FM24CZ16-PT相似产品对比

	FM24CZ16-PT	FM24CZ16-PS	FM24CZ16-S	FM24CZ16-C
描述	Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDIP8	Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDIP8	Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, PDSO8	Non-Volatile SRAM, 2KX8, 3000ns, CMOS, CDIP8
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP8(UNSPEC)	DIP, DIP8,.3	SOP, SOP8,.25	DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	3000 ns	3000 ns	3000 ns	3000 ns
其他特性	FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES	FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES	FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES	FERROELECTRIC STORAGE CELLS; RETENTION/ENDURANCE=10 YEARS/10 BILLION CYCLES
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
输出特性	TOTEM POLE	TOTEM POLE	TOTEM POLE	TOTEM POLE
可输出	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	SOP	DIP
封装等效代码	DIP8(UNSPEC)	DIP8,.3	SOP8,.25	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A	0.000001 A
最大压摆率	0.00025 mA	0.00025 mA	0.00025 mA	0.00025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端子节距	-	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm

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