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UPD43253BCR-25

产品描述Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小128KB,共8页
制造商NEC(日电)
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UPD43253BCR-25概述

Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

UPD43253BCR-25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间25 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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