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RBQ10B65A

产品描述Schottky Barrier Diode
文件大小375KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RBQ10B65A概述

Schottky Barrier Diode

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Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RBQ10B65A
Applications
General rectification
Dimensions
(Unit : mm)
6.5±0.2
C0.5
1.5±0.3
2.3±0.2
0.1
0.5±0.1
5.1±0.2
0.1
Land
size figure (Unit : mm)
6.0
5.5±0.3
0.1
0.8 min
0.9
(1)
(2) (3)
2.3±0.2 2.3±0.2
0.75
0.65±0.1
2.5
3)High reliability
0.5±0.1
1.0±0.2
CPD
2.3
2.3
Construction
Silicon epitaxial planer
Structure
ROHM : CPD
JEITA : SC-63
Manufacture Date
    Taping
specifications (Unit : mm)
Absolute
maximum ratings(Tc=25°C)
Parameter
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive peak)
V
R
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
Io
I
FSM
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)(*2)
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1) Business frequencies, 1/2 Io per diode.
(*2) Per diode.
Electrical
characteristics(Tj=25°C)
Parameter
Symbol
V
F
Forward voltage
Reverse current
I
R
Limits
65
65
10
50
150
−40
to
+150
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.69
0.15
Unit
V
mA
I
F
=5A
V
R
=65V
Conditions
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3.0
Features
1)Power mold type. (CPD)
2)Low I
R
9.5±0.5
1.6
1.6
2.0
6.0
1/4
2012.01 - Rev.A

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