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UPA806TKB

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共6页
制造商NEC(日电)
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UPA806TKB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN,

UPA806TKB规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量0.7 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12000 MHz

UPA806TKB相似产品对比

UPA806TKB UPA806T-T1KB-A UPA806T-T1KB UPA806TKB-A UPA806T-KB-A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN 2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF 0.7 pF 0.7 pF 0.7 pF 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 L BAND L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 12000 MHz 12000 MHz 12000 MHz 12000 MHz 12000 MHz
是否Rohs认证 - 符合 不符合 符合 符合
包装说明 - MINIMOLD PACKAGE-6 MINIMOLD PACKAGE-6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
其他特性 - LOW NOISE LOW NOISE - LOW NOISE
JESD-609代码 - e6 e0 e6 e6
峰值回流温度(摄氏度) - 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子面层 - TIN BISMUTH TIN LEAD TIN BISMUTH TIN BISMUTH
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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