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SST39VF100-70-4I-B3K

产品描述Flash, 64KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MO-210AB-1, TFBGA-48
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文件大小245KB,共22页
制造商Silicon Laboratories Inc
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SST39VF100-70-4I-B3K概述

Flash, 64KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MO-210AB-1, TFBGA-48

SST39VF100-70-4I-B3K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Silicon Laboratories Inc
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,32
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
命令用户界面YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模32
端子数量48
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模2K
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度6 mm

SST39VF100-70-4I-B3K相似产品对比

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描述 Flash, 64KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MO-210AB-1, TFBGA-48 Flash, 64KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MO-210AB-1, TFBGA-48 Flash, 64KX16, 70ns, PDSO40, 10 X 14 MM, MO-142CA, TSOP1-40 Flash, 64KX16, 45ns, PDSO40, 10 X 14 MM, MO-142CA, TSOP1-40 Flash, 64KX16, 45ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MO-210AB-1, TFBGA-48
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc
零件包装代码 BGA BGA TSOP1 TSOP1 BGA
包装说明 TFBGA, BGA48,6X8,32 TFBGA, BGA48,6X8,32 10 X 14 MM, MO-142CA, TSOP1-40 TSOP1, TSSOP40,.56,20 TFBGA, BGA48,6X8,32
针数 48 48 40 40 48
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 45 ns 45 ns
命令用户界面 YES YES YES YES YES
数据轮询 YES YES YES YES YES
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 8 mm 8 mm 12.4 mm 12.4 mm 8 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
部门数/规模 32 32 32 32 32
端子数量 48 48 40 40 48
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX16 64KX16 64KX16 64KX16 64KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TSOP1 TSOP1 TFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,32 BGA48,6X8,32 TSSOP40,.56,20 TSSOP40,.56,20 BGA48,6X8,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3.3 V 3.3 V
编程电压 2.7 V 2.7 V 2.7 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 2K 2K 2K 2K 2K
最大待机电流 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL GULL WING GULL WING BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM DUAL DUAL BOTTOM
切换位 YES YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 6 mm 6 mm 10 mm 10 mm 6 mm

 
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