NM27C128N200,NM27C128N200 pdf中文资料,NM27C128N200引脚图,NM27C128N200电路-Datasheet-电子工程世界

NM27C128N200: 产品描述OTP ROM, 16KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小393KB，共11页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

NM27C128N200概述

OTP ROM, 16KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

NM27C128N200规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	DIP,
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	35.942 mm
内存密度	131072 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	5.334 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

NM27C128N200相似产品对比

	NM27C128N200	NM27C128VE150	NM27C128Q150	NM27C128NE120	NM27C128V150
描述	OTP ROM, 16KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28	OTP ROM, 16KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	UVPROM, 16KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28	OTP ROM, 16KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28	OTP ROM, 16KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	DIP,	QCCJ,	DIP,	DIP,	QCCJ,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	200 ns	150 ns	150 ns	120 ns	150 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	R-GDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	131072 bit	131072 bit	131072 bit	131072 bit	131072 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	UVPROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	28	32	28	28	32
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	16KX8	16KX8	16KX8	16KX8	16KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCJ	DIP	DIP	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	5.334 mm	3.56 mm	5.969 mm	5.334 mm	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD
宽度	15.24 mm	11.455 mm	15.24 mm	15.24 mm	11.455 mm
长度	35.942 mm	13.995 mm	-	35.942 mm	13.995 mm

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多