OTP ROM, 16KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 包装说明 | QCCJ, |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.995 mm |
| 内存密度 | 131072 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 16KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 座面最大高度 | 3.56 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 11.455 mm |
| NM27C128VE150 | NM27C128Q150 | NM27C128N200 | NM27C128NE120 | NM27C128V150 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | OTP ROM, 16KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | UVPROM, 16KX8, 150ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28 | OTP ROM, 16KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | OTP ROM, 16KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | OTP ROM, 16KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
| 包装说明 | QCCJ, | DIP, | DIP, | DIP, | QCCJ, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 150 ns | 150 ns | 200 ns | 120 ns | 150 ns |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-GDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 131072 bit | 131072 bit | 131072 bit | 131072 bit | 131072 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM | UVPROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 28 | 28 | 28 | 32 |
| 字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
| 组织 | 16KX8 | 16KX8 | 16KX8 | 16KX8 | 16KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | DIP | DIP | DIP | QCCJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 座面最大高度 | 3.56 mm | 5.969 mm | 5.334 mm | 5.334 mm | 3.56 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
| 宽度 | 11.455 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 11.455 mm |
| 长度 | 13.995 mm | - | 35.942 mm | 35.942 mm | 13.995 mm |
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