Datasheet> 器件分类 > 可编程逻辑器件> 可编程逻辑> GAL20V8B-20LD/883

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GAL20V8B-20LD/883: 产品描述EE PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERDIP-24; 产品类别可编程逻辑器件可编程逻辑; 文件大小83KB，共6页; 制造商Lattice(莱迪斯); 官网地址http://www.latticesemi.com

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GAL20V8B-20LD/883概述

EE PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERDIP-24

GAL20V8B-20LD/883规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Lattice(莱迪斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	CERDIP-24
针数	24
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD
架构	PAL-TYPE
最大时钟频率	33.3 MHz
JESD-30 代码	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0
长度	31.875 mm
专用输入次数	12
I/O 线路数量	8
输入次数	20
输出次数	8
产品条款数	64
端子数量	24
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O
输出函数	MACROCELL
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
可编程逻辑类型	EE PLD
传播延迟	20 ns
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压	5.5 V
最小供电电压	4.5 V
标称供电电压	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.62 mm

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GAL20V8/883

High Performance E

CMOS PLD

Generic Array Logic™

Features

• HIGH PERFORMANCE E

CMOS

TECHNOLOGY

— 10 ns Maximum Propagation Delay

— Fmax = 62.5 MHz

— 7 ns Maximum from Clock Input to Data Output

— TTL Compatible 12 mA Outputs

— UltraMOS

Advanced CMOS Technology

• 50% REDUCTION IN POWER FROM BIPOLAR

— 75mA Typ Icc on Low Power Device

• E

CELL TECHNOLOGY

— Reconfigurable Logic

— Reprogrammable Cells

— 100% Tested/100% Yields

— High Speed Electrical Erasure (<100ms)

— 20 Year Data Retention

• EIGHT OUTPUT LOGIC MACROCELLS

— Maximum Flexibility for Complex Logic Designs

— Programmable Output Polarity

— Also Emulates 24-pin PAL

Devices with Full Function/

Fuse Map/Parametric Compatibility

• PRELOAD AND POWER-ON RESET OF ALL REGISTERS

— 100% Functional Testability

• APPLICATIONS INCLUDE:

— DMA Control

— State Machine Control

— High Speed Graphics Processing

— Standard Logic Speed Upgrade

• ELECTRONIC SIGNATURE FOR IDENTIFICATION

Functional Block Diagram

I/CLK

OLMC

I/O/Q

IMUX

CLK

OLMC

I/O/Q

PROGRAMMABLE

AND-ARRAY

(64 X 40)

OLMC

I/O/Q

OLMC

I/O/Q

OLMC

I/O/Q

OLMC

I/O/Q

OLMC

I/O/Q

OLMC

IMUX

I/OE

Description

The GAL20V8/883 is a high performance E

CMOS program-

mable logic devices processed in full compliance to MIL-STD-

883. This military grade device combines a high performance

CMOS process with Electrically Erasable (E

) floating gate tech-

nology to provide the highest speed/power performance available

in the 883 qualified PLD market.

The generic GAL architecture provides maximum design flexibil-

ity by allowing the Output Logic Macrocell (OLMC) to be config-

ured by the user. The GAL20V8/883 is capable of emulating all

standard 24-pin PAL

devices with full function/fuse map/para-

metric compatibility.

Unique test circuitry and reprogrammable cells allow complete

AC, DC, and functional testing during manufacture. Therefore,

Lattice Semiconductor delivers 100% field programmability and

functionality of all GAL products. In addition, 100 erase/write

cycles and data retention in excess of 20 years are specified.

Pin Configuration

LCC

I/CLK

Vcc

I/O/Q

CERDIP

Vcc

I/O/Q

GND

GAL20V8

Top View

I/O/Q

GAL

20V8

I/O/Q

I/OE

I/O/Q

GND

I/OE

I/O/Q

to change without notice.

LATTICE SEMICONDUCTOR CORP., 5555 Northeast Moore Ct., Hillsboro, Oregon 97124, U.S.A.

Tel. (503) 268-8000; 1-800-LATTICE; FAX (503) 268-8556; http://www.latticesemi.com

July 1997

20v8mil_02

GAL20V8B-20LD/883相似产品对比

	GAL20V8B-20LD/883	5962-8984004LA	5962-89840023A	5962-89840043A	5962-89840033A	5962-8984002LA	GAL20V8B-10LD/883	GAL20V8B-10LR/883	GAL20V8B-15LR/883	GAL20V8B-20LR/883
描述	EE PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERDIP-24	EE PLD, 10ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERDIP-24	EE PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CQCC28, LCC-28	EE PLD, 10ns, PAL-Type, CMOS, CQCC28, LCC-28	EE PLD, 15ns, PAL-Type, CMOS, CQCC28, LCC-28	EE PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERDIP-24	EE PLD, 10ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, CERDIP-24	EE PLD, 10ns, PAL-Type, CMOS, CQCC28, LCC-28	EE PLD, 15ns, PAL-Type, CMOS, CQCC28, LCC-28	EE PLD, 20ns, PAL-Type, CMOS, CQCC28, LCC-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	QLCC	QLCC	QLCC	DIP	DIP	QLCC	QLCC	QLCC
包装说明	CERDIP-24	CERDIP-24	LCC-28	LCC-28	LCC-28	CERDIP-24	CERDIP-24	LCC-28	LCC-28	LCC-28
针数	24	24	28	28	28	24	24	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	unknown	unknown	unknown	not_compliant	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD	1 EXTERNAL CLOCK; REGISTER PRELOAD
架构	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE	PAL-TYPE
最大时钟频率	33.3 MHz	58.8 MHz	33.3 MHz	58.8 MHz	41.6 MHz	33.3 MHz	58.8 MHz	58.8 MHz	41.6 MHz	33.3 MHz
JESD-30 代码	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	S-CQCC-N28	S-CQCC-N28	S-CQCC-N28	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	S-CQCC-N28	S-CQCC-N28	S-CQCC-N28
长度	31.875 mm	31.875 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	31.875 mm	31.875 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm
专用输入次数	12	12	12	12	12	12	12	12	12	12
I/O 线路数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
输入次数	20	20	20	20	20	20	20	20	20	20
输出次数	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
产品条款数	64	64	64	64	64	64	64	64	64	64
端子数量	24	24	28	28	28	24	24	28	28	28
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O	12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O
输出函数	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL	MACROCELL
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	QCCN	QCCN	QCCN	DIP	DIP	QCCN	QCCN	QCCN
封装等效代码	DIP24,.3	DIP24,.3	LCC28,.45SQ	LCC28,.45SQ	LCC28,.45SQ	DIP24,.3	DIP24,.3	LCC28,.45SQ	LCC28,.45SQ	LCC28,.45SQ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
可编程逻辑类型	EE PLD	EE PLD	EE PLD	EE PLD	EE PLD	EE PLD	EE PLD	EE PLD	EE PLD	EE PLD
传播延迟	20 ns	10 ns	20 ns	10 ns	15 ns	20 ns	10 ns	10 ns	15 ns	20 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883	MIL-STD-883
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	5.08 mm	5.08 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
最大供电电压	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	NO	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	7.62 mm	7.62 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm	7.62 mm	7.62 mm	11.43 mm	11.43 mm	11.43 mm
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	-	-	e0	e0	e0
端子面层	TIN LEAD	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
湿度敏感等级	-	1	1	1	1	1	1	1	1	1

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