OP-AMP, 100MHz BAND WIDTH, CDIP8, SIDE BRAZED, DIP-8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.06 µA |
频率补偿 | YES (AVCL>=5) |
最大输入失调电压 | 7000 µV |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T8 |
低-失调 | NO |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最小摆率 | 15 V/us |
最大压摆率 | 4.3 mA |
供电电压上限 | 20 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 10k Rad(Si) V |
标称均一增益带宽 | 100000 kHz |
最小电压增益 | 60000 |
宽带 | YES |
宽度 | 7.62 mm |
HS7B-2622RH-Q | HS2-2622RH-Q | HS7-2622RH-Q | HS7B-2620RH-Q | HS2-2620RH-Q | HS7-2620RH-Q | |
---|---|---|---|---|---|---|
描述 | OP-AMP, 100MHz BAND WIDTH, CDIP8, SIDE BRAZED, DIP-8 | HS2-2622RH-Q | HS7-2622RH-Q | OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 100MHz BAND WIDTH, CDIP8, SIDE BRAZED, DIP-8 | HS2-2620RH-Q | HS7-2620RH-Q |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DIP | BCY | DIP | DIP | BCY | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 | DIP, DIP8,.3 | , CAN8,.2 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.06 µA | 0.025 µA | 0.025 µA | 0.035 µA | 0.015 µA | 0.015 µA |
频率补偿 | YES (AVCL>=5) | YES (AVCL>=5) | YES (AVCL>=5) | YES (AVCL>=5) | YES (AVCL>=5) | YES (AVCL>=5) |
最大输入失调电压 | 7000 µV | 7000 µV | 7000 µV | 4000 µV | 4000 µV | 4000 µV |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T8 | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 | R-CDIP-T8 | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 |
低-失调 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装等效代码 | DIP8,.3 | CAN8,.2 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | CAN8,.2 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR | RECTANGULAR | ROUND | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL | IN-LINE | IN-LINE | CYLINDRICAL | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
最小摆率 | 15 V/us | 15 V/us | 15 V/us | 20 V/us | 20 V/us | 20 V/us |
最大压摆率 | 4.3 mA | 4.3 mA | 4.3 mA | 4 mA | 4 mA | 4 mA |
供电电压上限 | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | WIRE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL | DUAL | BOTTOM | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 10k Rad(Si) V | 10k Rad(Si) V | 10k Rad(Si) V | 10k Rad(Si) V | 10k Rad(Si) V | 10k Rad(Si) V |
标称均一增益带宽 | 100000 kHz | 100000 kHz | 100000 kHz | 100000 kHz | 100000 kHz | 100000 kHz |
最小电压增益 | 60000 | 60000 | 60000 | 70000 | 70000 | 70000 |
宽带 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
封装代码 | DIP | - | DIP | DIP | - | DIP |
座面最大高度 | 5.08 mm | - | 5.08 mm | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
JESD-609代码 | - | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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