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HS2-2622RH-Q

产品描述HS2-2622RH-Q
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小77KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HS2-2622RH-Q概述

HS2-2622RH-Q

HS2-2622RH-Q规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码BCY
包装说明, CAN8,.2
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.025 µA
频率补偿YES (AVCL>=5)
最大输入失调电压7000 µV
JESD-30 代码O-MBCY-W8
JESD-609代码e0
低-失调NO
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装等效代码CAN8,.2
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最小摆率15 V/us
最大压摆率4.3 mA
供电电压上限20 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量10k Rad(Si) V
标称均一增益带宽100000 kHz
最小电压增益60000
宽带YES

HS2-2622RH-Q相似产品对比

HS2-2622RH-Q HS7-2622RH-Q HS7B-2622RH-Q HS7B-2620RH-Q HS2-2620RH-Q HS7-2620RH-Q
描述 HS2-2622RH-Q HS7-2622RH-Q OP-AMP, 100MHz BAND WIDTH, CDIP8, SIDE BRAZED, DIP-8 OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 100MHz BAND WIDTH, CDIP8, SIDE BRAZED, DIP-8 HS2-2620RH-Q HS7-2620RH-Q
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 BCY DIP DIP DIP BCY DIP
包装说明 , CAN8,.2 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 , CAN8,.2 DIP, DIP8,.3
针数 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.025 µA 0.025 µA 0.06 µA 0.035 µA 0.015 µA 0.015 µA
频率补偿 YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5) YES (AVCL>=5)
最大输入失调电压 7000 µV 7000 µV 7000 µV 4000 µV 4000 µV 4000 µV
JESD-30 代码 O-MBCY-W8 R-GDIP-T8 R-CDIP-T8 R-CDIP-T8 O-MBCY-W8 R-GDIP-T8
低-失调 NO NO NO NO NO NO
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 METAL CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL CERAMIC, GLASS-SEALED
封装等效代码 CAN8,.2 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 CAN8,.2 DIP8,.3
封装形状 ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL IN-LINE IN-LINE IN-LINE CYLINDRICAL IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最小摆率 15 V/us 15 V/us 15 V/us 20 V/us 20 V/us 20 V/us
最大压摆率 4.3 mA 4.3 mA 4.3 mA 4 mA 4 mA 4 mA
供电电压上限 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 WIRE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE WIRE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM DUAL DUAL DUAL BOTTOM DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V 10k Rad(Si) V
标称均一增益带宽 100000 kHz 100000 kHz 100000 kHz 100000 kHz 100000 kHz 100000 kHz
最小电压增益 60000 60000 60000 70000 70000 70000
宽带 YES YES YES YES YES YES
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
封装代码 - DIP DIP DIP - DIP
座面最大高度 - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm - 5.08 mm
端子节距 - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm
宽度 - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm - 7.62 mm
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