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S23AF12B: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小246KB，共6页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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S23AF12B概述

Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

S23AF12B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	unknown
标称电路换相断开时间	20 µs
配置	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us
最大直流栅极触发电流	150 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V
最大维持电流	500 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
最大漏电流	30 mA
湿度敏感等级	1
通态非重复峰值电流	4700 A
元件数量	1
端子数量	2
最大通态电流	240000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	380 A
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR

S23AF12B相似产品对比

	S23AF12B	S23AF10A	S23AF10B	S23AF12A
描述	Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB	Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB	Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB	Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
标称电路换相断开时间	20 µs	16 µs	20 µs	16 µs
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us	500 V/us	500 V/us	500 V/us
最大直流栅极触发电流	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
最大维持电流	500 mA	500 mA	500 mA	500 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB	TO-200AB	TO-200AB	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2
最大漏电流	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA
湿度敏感等级	1	1	1	1
通态非重复峰值电流	4700 A	4700 A	4700 A	4700 A
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最大通态电流	240000 A	240000 A	240000 A	240000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	380 A	380 A	380 A	380 A
断态重复峰值电压	1200 V	1000 V	1000 V	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V	1000 V	1000 V	1200 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	END	END	END	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR

S23AF12B

S23AF12B概述

S23AF12B规格参数

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