Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
Reach Compliance Code | unknown |
标称电路换相断开时间 | 20 µs |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 500 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2.5 V |
最大维持电流 | 500 mA |
JEDEC-95代码 | TO-200AB |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 |
最大漏电流 | 30 mA |
湿度敏感等级 | 1 |
通态非重复峰值电流 | 4700 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最大通态电流 | 240000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 380 A |
断态重复峰值电压 | 1000 V |
重复峰值反向电压 | 1000 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
触发设备类型 | SCR |
S23AF10B | S23AF10A | S23AF12A | S23AF12B | |
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描述 | Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | Silicon Controlled Rectifier, 380A I(T)RMS, 240000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
标称电路换相断开时间 | 20 µs | 16 µs | 16 µs | 20 µs |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 500 V/us | 500 V/us | 500 V/us | 500 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA | 150 mA | 150 mA | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
最大维持电流 | 500 mA | 500 mA | 500 mA | 500 mA |
JEDEC-95代码 | TO-200AB | TO-200AB | TO-200AB | TO-200AB |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 | O-CEDB-N2 | O-CEDB-N2 | O-CEDB-N2 |
最大漏电流 | 30 mA | 30 mA | 30 mA | 30 mA |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 |
通态非重复峰值电流 | 4700 A | 4700 A | 4700 A | 4700 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最大通态电流 | 240000 A | 240000 A | 240000 A | 240000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON | DISK BUTTON | DISK BUTTON | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 | 225 | 225 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 380 A | 380 A | 380 A | 380 A |
断态重复峰值电压 | 1000 V | 1000 V | 1200 V | 1200 V |
重复峰值反向电压 | 1000 V | 1000 V | 1200 V | 1200 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | END | END | END | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR |
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