IDT7M4013S100CHB,IDT7M4013S100CHB pdf中文资料,IDT7M4013S100CHB引脚图,IDT7M4013S100CHB电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT7M4013S100CHB: 产品描述SRAM Module, 128KX32, 100ns, CMOS, CPGA66; 产品类别存储存储; 文件大小529KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7M4013S100CHB概述

SRAM Module, 128KX32, 100ns, CMOS, CPGA66

IDT7M4013S100CHB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-XPGA-P66
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
端子数量	66
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流	0.08 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.8 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	6

IDT7M4013S100CHB相似产品对比

	IDT7M4013S100CHB	IDT7M4003S100CHB	IDT7M4003S70CHB	IDT7M4003S85CHB	IDT7M4013S70CHB	IDT7M4013S85CHB	7M4013S20CH	7M4013S50CH	7M4013S50CHB	7M4013S60CHB
描述	SRAM Module, 128KX32, 100ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 32KX32, 100ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 32KX32, 70ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 32KX32, 85ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 128KX32, 70ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 128KX32, 85ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 128KX32, 20ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 128KX32, 50ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 128KX32, 50ns, CMOS, CPGA66	SRAM Module, 128KX32, 60ns, CMOS, CPGA66
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	100 ns	100 ns	70 ns	85 ns	70 ns	85 ns	20 ns	50 ns	50 ns	60 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66	S-XPGA-P66
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
端子数量	66	66	66	66	66	66	66	66	66	66
字数	131072 words	32768 words	32768 words	32768 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	32000	32000	32000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-	-55 °C	-55 °C
组织	128KX32	32KX32	32KX32	32KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11	PGA66,11X11
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.06 A	0.06 A	0.08 A	0.08 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA	0.72 mA	0.72 mA	0.8 mA	0.8 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	6	6	6	6	6	6	30	30	30	30
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	-	-	-
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	-	-	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)

IDT7M4013S100CHB

IDT7M4013S100CHB概述

IDT7M4013S100CHB规格参数

IDT7M4013S100CHB相似产品对比

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