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IDT7M4003S85CHB

产品描述SRAM Module, 32KX32, 85ns, CMOS, CPGA66
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文件大小529KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M4003S85CHB概述

SRAM Module, 32KX32, 85ns, CMOS, CPGA66

IDT7M4003S85CHB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XPGA-P66
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
端子数量66
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码PGA
封装等效代码PGA66,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.08 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.8 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间6

IDT7M4003S85CHB相似产品对比

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描述 SRAM Module, 32KX32, 85ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 32KX32, 100ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 32KX32, 70ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 128KX32, 100ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 128KX32, 70ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 128KX32, 85ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 128KX32, 20ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 128KX32, 50ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 128KX32, 50ns, CMOS, CPGA66 SRAM Module, 128KX32, 60ns, CMOS, CPGA66
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 85 ns 100 ns 70 ns 100 ns 70 ns 85 ns 20 ns 50 ns 50 ns 60 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66 S-XPGA-P66
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32
端子数量 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66
字数 32768 words 32768 words 32768 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 32000 32000 32000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - - -55 °C -55 °C
组织 32KX32 32KX32 32KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32 128KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 PGA PGA PGA PGA PGA PGA PGA PGA PGA PGA
封装等效代码 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11 PGA66,11X11
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 225 225 225 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.08 A 0.06 A 0.06 A 0.08 A 0.08 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.8 mA 0.8 mA 0.8 mA 0.8 mA 0.8 mA 0.8 mA 0.72 mA 0.72 mA 0.8 mA 0.8 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间 6 6 6 6 6 6 30 30 30 30
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - - - -
筛选级别 MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) - - MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified)
【求助】时钟和中断
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