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KM44C258CJ-6

产品描述Static Column DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20
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文件大小63KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM44C258CJ-6概述

Static Column DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20

KM44C258CJ-6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ20/26,.34
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.145 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度3.68 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
MSP430F5529 ADC采样实例
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