1 AMP ULTRA FAST SILICON BRIDGE RECTIFIER
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| 包装说明 | R-PDIP-T4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 100 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |

| CBR1U-D010 | CBR1U-D020 | |
|---|---|---|
| 描述 | 1 AMP ULTRA FAST SILICON BRIDGE RECTIFIER | 1 AMP ULTRA FAST SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| 厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
| 包装说明 | R-PDIP-T4 | R-PDIP-T4 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 100 V | 200 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T4 | R-PDIP-T4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 50 A |
| 元件数量 | 4 | 4 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 1 A | 1 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 最大重复峰值反向电压 | 100 V | 200 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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