JAN2N5005: 产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, T6-C, TO-59, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小55KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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JAN2N5005概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, T6-C, TO-59, 3 PIN

JAN2N5005规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	TO-59
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	5 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JEDEC-95代码	TO-59
JESD-30 代码	O-MUPM-D3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	50 W
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/535B
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	70 MHz
Base Number Matches	1

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TECHNICAL DATA

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/535

Devices

2N5003

2N5005

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

@ T

= +25

(1)

@ T

= +25

(2)

Operating & Storage Junction Temperature Range

Total Power Dissipation

Symbol

CEO

CBO

EBO

C(3)

stg

Symbol

Value

100

5.5

5.0

2.0

-65 to +200

Max.

3.0

Unit

Vdc

Adc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

1) Derate linearly 11.4 mW/ C for T

> +25 C

2) Derate linearly 331 mW/

C for T

> +25

3) This value applies for P

≤

8.3 ms, duty cycle

≤

TO-59

Unit

C/W

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

= 25

C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

(BR)

CEO

CES

Min.

1.0

Max.

Unit

Vdc

µAdc

mAdc

MAdc

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

= 100 mAdc,

Collector-Emitter Cutoff Current

= 40 Vdc, I

= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

= 60 Vdc, V

= 0

= 100 Vdc, V

= 0

Emitter-Base Cutoff Current

= 4.0 Vdc, I

= 0

= 5.5 Vdc, I

= 0

EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JAN2N5005相似产品对比

	JAN2N5005	JANTX2N5003	JAN2N5003
描述	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, T6-C, TO-59, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, T6-C, TO-59, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, T6-C, TO-59, 3 PIN
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TO-59	TO-59	TO-59
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	5 A	5 A	5 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	20	20
JEDEC-95代码	TO-59	TO-59	TO-59
JESD-30 代码	O-MUPM-D3	O-MUPM-D3	O-MUPM-D3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	50 W	50 W	50 W
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified
参考标准	MIL-19500/535B	MIL-19500/535B	MIL-19500/535B
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	70 MHz	60 MHz	60 MHz
Base Number Matches	1	1	1

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