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MCM69P618CTQ5R: 产品描述64KX18 CACHE SRAM, 5ns, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小353KB，共12页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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MCM69P618CTQ5R概述

64KX18 CACHE SRAM, 5ns, PQFP100, TQFP-100

MCM69P618CTQ5R规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991
最长访问时间	5 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
长度	20 mm
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
宽度	14 mm

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MOTOROLA

Freescale Semiconductor, Inc.

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MCM69P618C/D

64K x 18 Bit Pipelined BurstRAM

Synchronous Fast Static RAM

MCM69P618C

Freescale Semiconductor, Inc...

The MCM69P618C is a 1M–bit synchronous fast static RAM designed to pro-

vide a burstable, high performance, secondary cache for the 68K Family,

PowerPC™, 486, i960™, and Pentium™ microprocessors. It is organized as 64K

words of 18 bits each. This device integrates input registers, an output register,

a 2–bit address counter, and high speed SRAM onto a single monolithic circuit

for reduced parts count in cache data RAM applications. Synchronous design

allows precise cycle control with the use of an external clock (K). BiCMOS cir-

cuitry reduces the overall power consumption of the integrated functions for

greater reliability.

Addresses (SA), data inputs (DQx), and all control signals except output

enable (G) and Linear Burst Order (LBO) are clock (K) controlled through

positive–edge–triggered noninverting registers.

burst

Bursts can be initiated with either ADSP or ADSC input pins. Subsequent

sequence

addresses can be generated internally by the MCM69P618C (burst

operates in linear or interleaved mode dependent upon the

of LBO) and

state

controlled by the burst address advance (ADV) input pin.

Write cycles are internally self–timed and initiated

the rising edge of the

clock (K) input. This feature eliminates complex off–chip write pulse generation

and provides increased timing flexibility for incoming signals.

Synchronous byte write (SBx), synchronous global write (SGW), and syn-

to allow writes to either individual bytes

chronous write enable SW are provided

designated as “a” and “b”. SBa controls DQa

or to both bytes. The two bytes are

and SBb controls DQb. Individual bytes are written if the selected byte writes SBx

are asserted with SW. Both bytes are written if either SGW is asserted or if both

SBx and SW are asserted.

For read cycles, pipelined SRAMs output data is temporarily stored by an

edge–triggered output register and then released to the output buffers at the next

rising edge of clock (K).

The MCM69P618C operates from a single 3.3 V power supply and all inputs

and outputs are LVTTL compatible and 5 V tolerant.

•

MCM69P618C–4 = 4 ns Access / 7.5 ns Cycle

MCM69P618C–4.5 = 4.5 ns Access / 8 ns Cycle

MCM69P618C–5 = 5 ns Access / 10 ns Cycle

MCM69P618C–6 = 6 ns Access / 12 ns Cycle

MCM69P618C–7 = 7 ns Access / 13.3 ns Cycle

•

Single 3.3 V + 10%, – 5% Power Supply

•

ADSP, ADSC, and ADV Burst Control Pins

•

Selectable Burst Sequencing Order (Linear/Interleaved)

•

Internally Self–Timed Write Cycle

•

Byte Write and Global Write Control

•

Single–Cycle Deselect Timing

•

5 V Tolerant on all Pins (Inputs and I/Os)

•

100–Pin TQFP Package

TQ PACKAGE

TQFP

CASE 983A–01

The PowerPC name is a trademark of IBM Corp., used under license therefrom.

i960 and Pentium are trademarks of Intel Corp.

REV 2

2/16/98

Motorola, Inc. 1998

MOTOROLA FAST SRAM

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

MCM69P618C

MCM69P618CTQ5R相似产品对比

	MCM69P618CTQ5R	MCM69P618CTQ4.5	MCM69P618CTQ4.5R	MCM69P618CTQ4R	MCM69P618CTQ4	MCM69P618CTQ7R	MCM69P618CTQ5	MCM69P618CTQ7	MCM69P618CTQ6	MCM69P618CTQ6R
描述	64KX18 CACHE SRAM, 5ns, PQFP100, TQFP-100	64KX18 CACHE SRAM, 4.5ns, PQFP100, TQFP-100	IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS-TTL,QFP,100PIN,PLASTIC	IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS-TTL,QFP,100PIN,PLASTIC	64KX18 CACHE SRAM, 4ns, PQFP100, TQFP-100	64KX18 CACHE SRAM, 7ns, PQFP100, TQFP-100	64KX18 CACHE SRAM, 5ns, PQFP100, TQFP-100	IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS-TTL,QFP,100PIN,PLASTIC	64KX18 CACHE SRAM, 6ns, PQFP100, TQFP-100	64KX18 CACHE SRAM, 6ns, PQFP100, TQFP-100
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,
针数	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	5 ns	4.5 ns	4.5 ns	4 ns	4 ns	7 ns	5 ns	7 ns	6 ns	6 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18	64KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
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技术	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
ECCN代码	3A991	3A991	3A991	-	-	-	3A991	3A991	3A991	3A991.B.2.A

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