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BYQ28EB-200-E3/45

产品描述5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小160KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BYQ28EB-200-E3/45概述

5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

BYQ28EB-200-E3/45规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.895 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流55 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

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BYQ28E-xxx, BYQ28EF-xxx, BYQ28EB-xxx, UG10xCT, UGF10xCT, UGB10xCT
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Dual Common Cathode Ultrafast Rectifier
TO-220AB
ITO-220AB
FEATURES
• Power pack
• Glass passivated pellet chip junction
• Ultrafast recovery times
• Soft recovery characteristics
• Low switching losses, high efficiency
1
2
3
2
1
BYQ28E, UG10
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
3
BYQ28EF, UGF10
PIN 1
PIN 3
PIN 2
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
(for TO-220AB and ITO-220AB package)
• AEC-Q101 qualified
(for ITO-220AB and TO-263AB package)
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
D
2
PAK (TO-263AB)
K
2
1
BYQ28EB, UGB10
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage, high frequency rectifier of switching
power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters
and polarity protection application.
DESIGN SUPPORT TOOLS
Models
Available
click logo to get started
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB, ITO-220AB, D
2
PAK (TO-263AB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
as marked
Mounting Torque:
10 in-lbs max.
(TO-263AB)
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
max.
Package
Circuit configuration
2 x 5.0 A
100 V to 200 V
55 A
25 ns
0.895 V
150 °C
TO-220AB, ITO-220AB,
D
2
PAK
Common cathode
MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Working peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
C
= 100 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
Non-repetitive peak reverse current per diode at t
p
= 100 μs
Electrostatic discharge capacitor voltage,
human body model: C = 250 pF, R = 1.5 k
Operating junction and storage temperature range
Isolation voltage (ITO-220AB only) from terminal to heatsink t = 1 min
total device
per diode
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
RSM
V
C
T
J
, T
STG
V
AC
UG10BCT
100
100
100
UG10CCT
150
150
150
10
5.0
55
0.2
8
-40 to +150
1500
UG10DCT
200
200
200
BYQ28E-100 BYQ28E-150 BYQ28E-200
UNIT
V
V
V
A
A
A
kV
°C
V
Revision: 08-Jun-2018
Document Number: 88549
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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BYQ28EB-200-E3/45 BYQ28EB-100 BYQ28EB-150 BYQ28EB-200 BYQ28EF-100 BYQ28E-150 BYQ28EF-150 BYQ28EF-200 UGB10BCT UGF10BCT
描述 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.895 V 0.895 V 0.895 V 0.895 V 0.895 V 0.895 V 0.895 V 0.895 V 1.25 V 1.25 V
最大非重复峰值正向电流 55 A 55 A 55 A 55 A 55 A 55 A 55 A 55 A 60 A 60 A
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A 10 A 10 A
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V 150 V 200 V 100 V 150 V 150 V 200 V 100 V 100 V
表面贴装 YES YES YES YES NO NO NO NO YES NO
厂商名称 Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) -
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