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BYG22A-E3

产品描述2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BYG22A-E3概述

2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214

BYG22A-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用SUPER FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流35 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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BYG22A thru BYG22D
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Ultrafast Avalanche SMD Rectifier
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated junction
• Low reverse current
• Low forward voltage
• Soft recovery characteristic
• Ultra fast reverse recovery time
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
DO-214AC (SMA)
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
t
rr
E
R
T
J
max.
2.0 A
50 V to 200 V
35 A
1.0 μA
1.1 V
25 ns
20 mJ
150 °C
For use in high frequency rectification and freewheeling
application in switching mode converters and inverters for
consumer, computer, automotive and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Peak forward surge current 10 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Pulse energy in avalanche mode,
non repetitive (inductive load switch off)
I
(BR)R
= 1 A, T
J
= 25 °C
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
E
R
T
J
, T
STG
SYMBOL
BYG22A
BYG22A
50
BYG22B
BYG22B
100
2.0
35
BYG22D
BYG22D
200
V
A
A
UNIT
20
- 55 to + 150
mJ
°C
Revision: 21-Dec-11
Document Number: 88959
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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