Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SMBG2K3.0

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SMBG2K3.0: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小188KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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SMBG2K3.0概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

SMBG2K3.0规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-215AA
包装说明	PLASTIC, SMBG, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	4.3 V
最大钳位电压	5.4 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-215AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	300 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	3 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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SMBJ2K3.0 thru SMBJ2K5.0

SMBG2K3.0 thru SMBG2K5.0

SCOTTSDALE DIVISION

UNIDIRECTIONAL LOW VOLTAGE

SURFACE MOUNT TRANSIENT

VOLTAGE SUPPRESSOR

APPEARANCE

WWW .

Microsemi

DESCRIPTION

The SMBJ2K3.0-5.0 or SMBG2K3.0-5.0 series of surface mount 2000 Watt

unidirectional Transient Voltage Suppressors (TVSs) provide low voltage

transient protection in a Working Standoff Voltage (V

) selections from 3.0

to 5.0 volts. Response time of clamping action is virtually instantaneous and

may also be used for protection from ESD or EFT per IEC61000-4-2 and

IEC61000-4-4, or for inductive switching environments and induced RF.

They can also be used for protecting other sensitive components from

secondary lightning effects per IEC61000-4-5 and class levels defined

herein. Microsemi also offers numerous other TVS products to meet higher

and lower power demands and special applications. Also available in military

equivalent screening levels by adding a prefix identifier as further described

in the Features section. Microsemi also offers numerous other TVS products

to meet higher and lower power applications.

IMPORTANT:

For the most current data, consult

MICROSEMI’s

website:

http://www.microsemi.com

FEATURES

•

Suppresses transients up to 2000 watts @ 8/20 µs (see

Figure 1 and 2)

Fast response

Optional 100%

screening for avionics grade

is available

by adding MA prefix to part number for added 100%

temperature cycle -55

C to +125

C (10X) as well as surge

(3X) and 24 hours HTRB with post test V

& I

(in the

operating direction for unidirectional or both directions for

bidirectional)

Options for screening in accordance with MIL-PRF-19500

for JAN, JANTX, JANTXV, and JANS are available by

adding MQ, MX, MV, or MSP prefixes respectively to part

numbers.

Moisture classification is Level 1 with no dry pack required

per IPC/JEDEC J-STD-020B

Consult factory for bidirectional options

•

APPLICATIONS / BENEFITS

Selections for 3.0 to 5.0 V Working Peak Standoff

) voltage

Economical unidirectional TVS series in surface

mount with flat handling surface for accurate

placement

Voltage and reverse (leakage) current lowest

available

Protects sensitive components such as IC’s,

CMOS, Bipolar, BiCMOS, ECL, DTL, T L, etc.

Protection from switching transients & induced RF

Compliant to IEC61000-4-2 and IEC61000-4-4 for

ESD and EFT protection respectively

Secondary lightning protection per IEC61000-4-5

with 42 Ohms source impedance for Class 1

•

MAXIMUM RATINGS

•

Peak Pulse Power dissipation at 25

C: 2000 watts at 8/20

µs

or 300 Watts at 10/1000

µs

(also see Figure 1 and 4)

•

Clamping Voltage at 10 Amps @ 8/20

µs

shown on page 2

•

Impulse repetition rate (duty factor): 0.01% maximum

•

clamping

(0 volts to

(BR)

min.): < 100 ps

•

Operating and Storage temperature: -65

C to +150

•

Thermal resistance: 25

C/W junction to lead, or 90

C/W

junction to ambient when mounted on FR4 PC board (1oz

Cu) with recommended footprint (see last page)

•

Steady-State Power dissipation: 5 watts at T

= 25

C, or

1.38 watts at T

= 25

C when mounted on FR4 PC board

with recommended footprint

•

Forward Voltage at 25

C: 3.5 Volts maximum @ 30 Amp

peak impulse of 8.3 ms half-sine wave (unidirectional only)

•

Solder temperatures: 260

C for 10 s (maximum)



2002

5-28-2004 REV F

MECHANICAL AND PACKAGING

•

CASE: Void-free transfer molded thermosetting

epoxy body meeting UL94V-0

FINISH: Tin-Lead plated over copper and readily

solderable per MIL-STD-750, method 2026

MARKING: Body marked without SMBJ or SMBG

part number prefix, e.g. 2K3.0, 2K3.3, 2K4.0, etc.

POLARITY: Band denotes cathode

WEIGHT: 0.1 grams (approximate)

TAPE & REEL option: Standard per EIA-481-1-A

with 12 mm tape, 750 per 7 inch reel or 2500 per

13 inch reel (add “TR” suffix to part number)

See package dimensions on last page

SMBG&J2K3.0-5.0

•

Microsemi

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

Page 1

SMBG2K3.0相似产品对比

	SMBG2K3.0	SMBG2K5.0	SMBG2K4.5	SMBG2K3.3	SMBG2K4.0
描述	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 4.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DO-215AA	DO-215AA	DO-215AA	DO-215AA	DO-215AA
包装说明	PLASTIC, SMBG, 2 PIN	R-PDSO-G2	R-PDSO-G2	PLASTIC, SMBG, 2 PIN	PLASTIC, SMBG, 2 PIN
针数	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最小击穿电压	4.3 V	5.9 V	5.4 V	4.6 V	5 V
最大钳位电压	5.4 V	7.6 V	6.6 V	5.8 V	6.3 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-215AA	DO-215AA	DO-215AA	DO-215AA	DO-215AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G2	R-PDSO-G2	R-PDSO-G2	R-PDSO-G2	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值反向功率耗散	300 W	300 W	300 W	300 W	300 W
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W	1.38 W	1.38 W	1.38 W	1.38 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	3 V	5 V	4.5 V	3.3 V	4 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	Microsemi	-	-	Microsemi	Microsemi

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