BC807-25W: 产品描述500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小234KB，共2页; 制造商HTSEMI（ Jin Yu Semiconductor ）; 官网地址http://www.htsemi.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

BC807-25W在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	BC807-25W	-	-	点击查看	点击购买

BC807-25W概述

500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

500 mA, 45 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

BC807-25W规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
晶体管极性	PNP
最大集电极电流	0.5000 A
最大集电极发射极电压	45 V
加工封装描述	绿色, 塑料 PACKAGE-3
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
元件数量	1
晶体管元件材料	硅
最大环境功耗	0.3000 W
晶体管类型	通用小信号
最小直流放大倍数	250
额定交叉频率	80 MHz

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

BC0W7

TRANSISTOR (PNP)

BC807-16W

BC807-25W

BC807-40W

FEATURES

Ldeally suited for automatic insertion

epitaxial planar die construction

complementary NPN type available(BC817)

SOT-23

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MARKING: 807-16:5A;

807-25:5B;

807-40:5C

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

-50

-45

-5

-0.5

0.3

150

-55-150

Units

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

807-16

807-25

807-40

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

(sat)

=-500mA, I

= -50mA

= -500mA, I

= -50mA

= -5V, I

= -10mA

100

FE(1)

= -1V,

= -100mA

Symbol

CBO

CEO

EBO

CBO

CEO

EBO

Test

conditions

MIN

-50

-45

-5

-0.1

-0.2

-0.1

100

160

250

400

600

-0.7

-1.2

MHz

MAX

UNIT

= -10

A, I

= -10mA, I

= -1

A, I

= -45V, I

= -40V, I

= -4 V, I

100MHz

１　

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Ｄ½½½：２０１１／０５

BC807-25W相似产品对比

	BC807-25W	BC807-16W	BC807-40W	BC807W
描述	500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量	3	3	3	3
晶体管极性	PNP	PNP	PNP	PNP
最大集电极电流	0.5000 A	0.5000 A	0.5000 A	0.5000 A
最大集电极发射极电压	45 V	45 V	45 V	45 V
加工封装描述	绿色, 塑料 PACKAGE-3	绿色, 塑料 PACKAGE-3	绿色, 塑料 PACKAGE-3	绿色, 塑料 PACKAGE-3
无铅	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	矩形的	矩形的	矩形的	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子涂层	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端子位置	双	双	双	双
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	单一的	单一的	单一的	单一的
元件数量	1	1	1	1
晶体管元件材料	硅	硅	硅	硅
最大环境功耗	0.3000 W	0.3000 W	0.3000 W	0.3000 W
晶体管类型	通用小信号	通用小信号	通用小信号	通用小信号
最小直流放大倍数	250	250	250	250
额定交叉频率	80 MHz	80 MHz	80 MHz	80 MHz

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多