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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BC807-16W
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BC807-16W

产品描述500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小234KB，共2页
制造商HTSEMI（ Jin Yu Semiconductor ）
官网地址http://www.htsemi.com
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BC807-16W概述

500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

500 mA, 45 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

BC807-16W规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流0.5000 A
最大集电极发射极电压45 V
加工封装描述绿色, 塑料 PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置双
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管元件材料硅
最大环境功耗0.3000 W
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数250
额定交叉频率80 MHz

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BC0W7
8
TRANSISTOR (PNP)
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
FEATURES
·
Ldeally suited for automatic insertion
·
epitaxial planar die construction
·
complementary NPN type available(BC817)
SOT-23
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
MARKING: 807-16:5A;
807-25:5B;
807-40:5C
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-50
-45
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
Units
V
V
V
A
W
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
807-16
807-25
807-40
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
I
C
=-500mA, I
B
= -50mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
100
h
FE(1)
V
CE
= -1V,
I
C
= -100mA
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
Test
conditions
MIN
-50
-45
-5
-0.1
-0.2
-0.1
100
160
250
250
400
600
-0.7
-1.2
V
V
MHz
MAX
UNIT
V
V
V
I
C
= -10
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -1
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -45V, I
E
=0
V
CE
= -40V, I
B
=0
V
EB
= -4 V, I
C
=0
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
f=
100MHz
１　
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５

BC807-16W相似产品对比

BC807-16W BC807-25W BC807-40W BC807W
描述 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3 3 3
晶体管极性 PNP PNP PNP PNP
最大集电极电流 0.5000 A 0.5000 A 0.5000 A 0.5000 A
最大集电极发射极电压 45 V 45 V 45 V 45 V
加工封装描述 绿色, 塑料 PACKAGE-3 绿色, 塑料 PACKAGE-3 绿色, 塑料 PACKAGE-3 绿色, 塑料 PACKAGE-3
无铅 Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子位置 双 双 双 双
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 单一的 单一的
元件数量 1 1 1 1
晶体管元件材料 硅 硅 硅 硅
最大环境功耗 0.3000 W 0.3000 W 0.3000 W 0.3000 W
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 通用小信号 通用小信号
最小直流放大倍数 250 250 250 250
额定交叉频率 80 MHz 80 MHz 80 MHz 80 MHz

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