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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT5554BKLEADFREE
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CMLT5554BKLEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小576KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMLT5554BKLEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP

CMLT5554BKLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)60
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMLT5554
SURFACE MOUNT
DUAL,COMPLEMENTARY
HIGH VOLTAGE
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5554
consists of one 2N5551 NPN silicon transistor and one
individual isolated complementary 2N5401 PNP silicon
transistor, manufactured by the epitaxial planar process
and epoxy molded in an SOT-563 surface mount
package. This PICOmini™ device has been designed
for high voltage amplifier applications.
MARKING CODE: 5C4
SOT-563 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
NPN (Q1)
180
160
6.0
PNP (Q2)
160
150
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
600
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN (Q1)
PNP (Q2)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX
MIN MAX
ICBO
VCB=120V
-
50
-
-
ICBO
VCB=100V
-
-
-
50
ICBO
VCB=120V, TA=100°C
-
50
-
-
ICBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
hfe
NF
VCB=100V, TA=150°C
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
-
180
160
6.0
-
-
-
-
80
80
30
100
-
50
-
-
-
-
-
0.15
0.2
1.0
1.0
-
250
-
300
6.0
200
8.0
-
160
150
5.0
-
-
-
-
50
60
50
100
-
40
-
50
-
-
-
0.2
0.5
1.0
1.0
-
240
-
300
6.0
200
8.0
UNITS
nA
nA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=200μA, RS=10Ω,
f=10Hz to 15.7kHz
MHz
pF
dB
R1 (20-January 2010)

CMLT5554BKLEADFREE相似产品对比

CMLT5554BKLEADFREE CMLT5554TRLEADFREE CMLT5554TR CMLT5554BK
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, PICOMINI-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, PICOMINI-6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
最小直流电流增益 (hFE) 60 60 30 30
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN/PNP NPN/PNP NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz

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