NAND Gate, TTL, PDIP16,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | LG Semicon Co Ltd |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.02 A |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 10 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| GD74S133 | GD74S133J | GD54S133J | |
|---|---|---|---|
| 描述 | NAND Gate, TTL, PDIP16, | NAND Gate, TTL, CDIP16, | NAND Gate, TTL, CDIP16, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | LG Semicon Co Ltd | LG Semicon Co Ltd | LG Semicon Co Ltd |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 125 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 10 mA | 10 mA | 10 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 7 ns | 7 ns | 7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
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