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SBR5050

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SBR5050概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon,

SBR5050规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-MUPF-P1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性REVERSE ENERGY TESTED
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.68 V
JESD-30 代码O-MUPF-P1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流1200 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流50 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式PRESS FIT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流2000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置UPPER

SBR5050相似产品对比

SBR5050 SBR5035 SBR5040
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 35V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 40V V(RRM), Silicon,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 REVERSE ENERGY TESTED REVERSE ENERGY TESTED REVERSE ENERGY TESTED
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.68 V 0.68 V 0.68 V
JESD-30 代码 O-MUPF-P1 O-MUPF-P1 O-MUPF-P1
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 1200 A 1200 A 1200 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 50 A 50 A 50 A
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 PRESS FIT PRESS FIT PRESS FIT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 50 V 35 V 40 V
最大反向电流 2000 µA 2000 µA 2000 µA
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 UPPER UPPER UPPER
厂商名称 Microsemi - Microsemi
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