Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 711 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 组织 | 4MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA54,8X9,40/32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| HYB25R72180C-750 | HYB25R72180C-645 | |
|---|---|---|
| 描述 | Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54, | Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 711 MHz | 600 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 | R-PBGA-B54 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 75497472 bit | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 |
| 端子数量 | 54 | 54 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 |
| 组织 | 4MX18 | 4MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA |
| 封装等效代码 | BGA54,8X9,40/32 | BGA54,8X9,40/32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
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