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HYB25R72180C-645

产品描述Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54,
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共62页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB25R72180C-645概述

Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54,

HYB25R72180C-645规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codenot_compliant
最大时钟频率 (fCLK)600 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B54
JESD-609代码e0
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM
内存宽度18
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
组织4MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA54,8X9,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

HYB25R72180C-645相似产品对比

HYB25R72180C-645 HYB25R72180C-750
描述 Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54, Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
最大时钟频率 (fCLK) 600 MHz 711 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 75497472 bit 75497472 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM
内存宽度 18 18
端子数量 54 54
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
组织 4MX18 4MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装等效代码 BGA54,8X9,40/32 BGA54,8X9,40/32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
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