Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 75497472 bit |
内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM |
内存宽度 | 18 |
端子数量 | 54 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
组织 | 4MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA54,8X9,40/32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
HYB25R72180C-645 | HYB25R72180C-750 | |
---|---|---|
描述 | Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54, | Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA54, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz | 711 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 | R-PBGA-B54 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 75497472 bit | 75497472 bit |
内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM | RAMBUS DRAM |
内存宽度 | 18 | 18 |
端子数量 | 54 | 54 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 |
组织 | 4MX18 | 4MX18 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA |
封装等效代码 | BGA54,8X9,40/32 | BGA54,8X9,40/32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
电源 | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
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