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1N5399

产品描述1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小157KB,共2页
制造商Kingtronics
官网地址http://www.kingtronics.com
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1N5399概述

1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

1.5 A, 1000 V, 硅, 整流二极管, DO-15

1N5399规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用GENERAL PURPOSE
相数1
反向恢复时间最大2 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1.5 A
最大非重复峰值正向电流50 A

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Website: www.kingtronics.com
Email: info@kingtronics.com
Tel: (852) 8106 7033
Fax: (852) 8106 7099
1N5391 THRU 1N5399
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 1000 Volts
Forward Current -
1.5Amperes
FEATURES
◆The
plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
◆Construction
utilizes void-free molded plastic technique
◆Low
reverse leakage
◆High
forward surge current capability
◆High
temperature soldering guaranteed:
250℃/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-15 molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.014
ounce, 0.40 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
1N
1N
5392
1N
5393
1N
5394
1N
5395
1N
5396
1N
5397
1N
5398
1N
UNITS
5399
SYMBOLS
5391
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at TA=75℃
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.5A
Maximum DC reverse current TA=25℃
at rated DC blocking voltage TA=100℃
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1.5
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amps
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
,T
STG
50.0
Amps
1.4
5.0
50.0
20.0
50.0
-65 to +175
Volts
mA
p
F
/W
Note:
1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
1

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描述 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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