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PHD3055ET/R

产品描述TRANSISTOR 10.3 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小213KB,共14页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PHD3055ET/R概述

TRANSISTOR 10.3 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3, FET General Purpose Power

PHD3055ET/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码TO-252
包装说明PLASTIC, SC-63, DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)25 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)10.3 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)41 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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