Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 1600V V(DRM),
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknow |
标称电路换相断开时间 | 40 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 200 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V |
最大漏电流 | 15 mA |
通态非重复峰值电流 | 1200 A |
最大通态电压 | 2.7 V |
最大通态电流 | 190000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -45 °C |
断态重复峰值电压 | 1600 V |
表面贴装 | NO |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
TF219-16B | TF219-20B | |
---|---|---|
描述 | Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 1600V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 2000V V(DRM), |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown |
标称电路换相断开时间 | 40 µs | 40 µs |
关态电压最小值的临界上升速率 | 200 V/us | 200 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V |
最大漏电流 | 15 mA | 15 mA |
通态非重复峰值电流 | 1200 A | 1200 A |
最大通态电压 | 2.7 V | 2.7 V |
最大通态电流 | 190000 A | 190000 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -45 °C | -45 °C |
断态重复峰值电压 | 1600 V | 2000 V |
表面贴装 | NO | NO |
触发设备类型 | SCR | SCR |
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