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TF219-16B

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 1600V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小604KB,共12页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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TF219-16B概述

Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 1600V V(DRM),

TF219-16B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
标称电路换相断开时间40 µs
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流150 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大漏电流15 mA
通态非重复峰值电流1200 A
最大通态电压2.7 V
最大通态电流190000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-45 °C
断态重复峰值电压1600 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

TF219-16B相似产品对比

TF219-16B TF219-20B
描述 Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 1600V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 190000mA I(T), 2000V V(DRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknown
标称电路换相断开时间 40 µs 40 µs
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V
最大漏电流 15 mA 15 mA
通态非重复峰值电流 1200 A 1200 A
最大通态电压 2.7 V 2.7 V
最大通态电流 190000 A 190000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -45 °C -45 °C
断态重复峰值电压 1600 V 2000 V
表面贴装 NO NO
触发设备类型 SCR SCR

 
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