DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 包装说明 | R-PDSO-J2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 应用 | ULTRA FAST RECOVERY |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
| JEDEC-95代码 | DO-214AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 175 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 5 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 最大重复峰值反向电压 | 400 V |
| 最大反向电流 | 10 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.05 µs |
| 反向测试电压 | 400 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| UFS540J/TR13 | UFS540JE3/TR13 | |
|---|---|---|
| 描述 | DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB | DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
| 包装说明 | R-PDSO-J2 | R-PDSO-J2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 应用 | ULTRA FAST RECOVERY | ULTRA FAST RECOVERY |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.2 V | 1.2 V |
| JEDEC-95代码 | DO-214AB | DO-214AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J2 | R-PDSO-J2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 175 A | 175 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 最大输出电流 | 5 A | 5 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 最大重复峰值反向电压 | 400 V | 400 V |
| 最大反向电流 | 10 µA | 10 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.05 µs | 0.05 µs |
| 反向测试电压 | 400 V | 400 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
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