IC,SRAM,16KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最长访问时间 | 40 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 字数 | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 16KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC(UNSPEC) |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00001 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | QUAD |
| SM64C64-40FG | SM64C64-30FG | SM64C64-30JD | SM64C64-40JD | SM64C64-55FG | SM64C64-55JD | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC,SRAM,16KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC | IC,SRAM,16KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC | IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC | IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC | IC,SRAM,16KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC | IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 40 ns | 30 ns | 30 ns | 40 ns | 55 ns | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
| 字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | QCCN | DIP | DIP | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC(UNSPEC) | LCC(UNSPEC) | DIP22,.3 | DIP22,.3 | LCC(UNSPEC) | DIP22,.3 |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00001 A | 0.00001 A | 0.00001 A | 0.00001 A | 0.00001 A | 0.00001 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO | NO | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL |
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