SM64C64-30JD,SM64C64-30JD pdf中文资料,SM64C64-30JD引脚图,SM64C64-30JD电路-Datasheet-电子工程世界

SM64C64-30JD: 产品描述IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC; 产品类别存储存储; 文件大小239KB，共10页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

SM64C64-30JD概述

IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

SM64C64-30JD规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	30 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T22
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.00001 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

SM64C64-30JD相似产品对比

	SM64C64-30JD	SM64C64-30FG	SM64C64-40FG	SM64C64-40JD	SM64C64-55FG	SM64C64-55JD
描述	IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC	IC,SRAM,16KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC	IC,SRAM,16KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC	IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC	IC,SRAM,16KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC	IC,SRAM,16KX4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	30 ns	30 ns	40 ns	40 ns	55 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4	16KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	QCCN	QCCN	DIP	QCCN	DIP
封装等效代码	DIP22,.3	LCC(UNSPEC)	LCC(UNSPEC)	DIP22,.3	LCC(UNSPEC)	DIP22,.3
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL

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