M58BW016DB70T3F,M58BW016DB70T3F pdf中文资料,M58BW016DB70T3F引脚图,M58BW016DB70T3F电路-Datasheet-电子工程世界

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M58BW016DB70T3F: 产品描述512KX32 FLASH 3V PROM, 70ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80; 产品类别存储存储; 文件大小896KB，共55页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M58BW016DB70T3F概述

512KX32 FLASH 3V PROM, 70ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80

M58BW016DB70T3F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	QFP
包装说明	PLASTIC, QFP-80
针数	80
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PQFP-G80
长度	20 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	32
功能数量	1
部门数/规模	8,31
端子数量	80
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP80,.7X.9,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.4 mm
部门规模	2K,16K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	14 mm

M58BW016DB70T3F相似产品对比

	M58BW016DB70T3F	M58BW016DT70T3F	M58BW016DB80T3F	M58BW016DT80T3F
描述	512KX32 FLASH 3V PROM, 70ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 70ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	PLASTIC, QFP-80	PLASTIC, QFP-80	PLASTIC, QFP-80	PLASTIC, QFP-80
针数	80	80	80	80
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	70 ns	70 ns	80 ns	80 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM	TOP	BOTTOM	TOP
命令用户界面	YES	YES	YES	YES
通用闪存接口	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	NO	NO
JESD-30 代码	R-PQFP-G80	R-PQFP-G80	R-PQFP-G80	R-PQFP-G80
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1
部门数/规模	8,31	8,31	8,31	8,31
端子数量	80	80	80	80
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP	QFP	QFP	QFP
封装等效代码	QFP80,.7X.9,32	QFP80,.7X.9,32	QFP80,.7X.9,32	QFP80,.7X.9,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.4 mm	3.4 mm	3.4 mm	3.4 mm
部门规模	2K,16K	2K,16K	2K,16K	2K,16K
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
JESD-609代码	-	e0	e0	e0
端子面层	-	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)

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