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M58BW016DB80T3F

产品描述512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
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文件大小896KB,共55页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M58BW016DB80T3F概述

512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80

M58BW016DB80T3F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, QFP-80
针数80
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间80 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PQFP-G80
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
功能数量1
部门数/规模8,31
端子数量80
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP80,.7X.9,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.4 mm
部门规模2K,16K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度14 mm

M58BW016DB80T3F相似产品对比

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描述 512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80 512KX32 FLASH 3V PROM, 70ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80 512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80 512KX32 FLASH 3V PROM, 70ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 PLASTIC, QFP-80 PLASTIC, QFP-80 PLASTIC, QFP-80 PLASTIC, QFP-80
针数 80 80 80 80
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 80 ns 70 ns 80 ns 70 ns
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块 BOTTOM TOP TOP BOTTOM
命令用户界面 YES YES YES YES
通用闪存接口 YES YES YES YES
数据轮询 NO NO NO NO
JESD-30 代码 R-PQFP-G80 R-PQFP-G80 R-PQFP-G80 R-PQFP-G80
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
部门数/规模 8,31 8,31 8,31 8,31
端子数量 80 80 80 80
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX32 512KX32 512KX32 512KX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFP QFP QFP QFP
封装等效代码 QFP80,.7X.9,32 QFP80,.7X.9,32 QFP80,.7X.9,32 QFP80,.7X.9,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5/3.3,3/3.3 V 2.5/3.3,3/3.3 V 2.5/3.3,3/3.3 V 2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.4 mm 3.4 mm 3.4 mm 3.4 mm
部门规模 2K,16K 2K,16K 2K,16K 2K,16K
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 NO NO NO NO
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15) -
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