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HYS64D32301HU-6-C

产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, DIMM-184
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文件大小2MB,共42页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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HYS64D32301HU-6-C概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, DIMM-184

HYS64D32301HU-6-C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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Data Sheet, Rev. 1.20, Dec. 2005
HYS64D32301HU–[5/6]–C
HYS[72/64]D64300HU–[5/6]–C
HYS[64/72]D128320HU–[5/6]–C
184-Pin Unbuffered D ouble Data Rate SDRAM
UDIMM
DDR SDRAM
RoHS Compliant Products
Memory Products

HYS64D32301HU-6-C相似产品对比

HYS64D32301HU-6-C HYS64D32301HU-5-C HYS64D64300HU-6-C HYS64D64300HU-5-C HYS72D128320HU-5-C HYS72D64300HU-6-C HYS72D64300HU-5-C
描述 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, GREEN, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, GREEN, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.5ns, CMOS, GREEN, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, GREEN, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX72, 0.5ns, CMOS, GREEN, DIMM-184
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184
针数 184 184 184 184 184 184 184
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.5 ns 0.7 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.7 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 200 MHz 166 MHz 200 MHz 200 MHz 166 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 9663676416 bit 4831838208 bit 4831838208 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 184 184 184 184 184 184 184
字数 33554432 words 33554432 words 67108864 words 67108864 words 134217728 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 32000000 32000000 64000000 64000000 128000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX64 32MX64 64MX64 64MX64 128MX72 64MX72 64MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.6 V 2.5 V 2.6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
最大压摆率 0.92 mA 1 mA 1.64 mA 1.84 mA 2.45 mA 1.85 mA 2.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.5 V 2.3 V 2.5 V 2.5 V 2.3 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.6 V 2.5 V 2.6 V 2.6 V 2.5 V 2.6 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
最大待机电流 - - 0.016 A 0.016 A - 0.036 A 0.036 A
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