45A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A |
最大漏极电流 (ID) | 45 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 90 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
RFP45N02L | RF1S45N02L | RF1S45N02LSM | |
---|---|---|---|
描述 | 45A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 45A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | 45A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
配置 | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A | 45 A | 45 A |
最大漏极电流 (ID) | 45 A | 45 A | 45 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 90 W | 90 W | 90 W |
表面贴装 | NO | NO | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
其他特性 | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, MEGAFET | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
最小漏源击穿电压 | - | 20 V | 20 V |
最大漏源导通电阻 | - | 0.022 Ω | 0.022 Ω |
JEDEC-95代码 | - | TO-262AA | TO-263AB |
JESD-30 代码 | - | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 3 | 2 |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
端子形式 | - | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | - | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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