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CBR8M-L100LEADFREE

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小474KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CBR8M-L100LEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN

CBR8M-L100LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明R-PSFM-W4
针数4
制造商包装代码CASE DM
Reach Compliance Codecompliant
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-W4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10

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CBR8M-L010 SERIES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
8.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR8M-L010 series
types are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers
designed for general purpose, high current applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
CASE DM
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL -L010
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
100
DC Blocking Voltage
VR
100
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TC=100°C)
Peak Forward Surge Current
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
VF
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JC
70
-L020
200
200
140
CBR8M
-L040 -L060
400
600
400
280
8.0
200
-65 to +150
3.0
600
420
-L080
800
800
560
-L100
1000
1000
700
UNITS
V
V
V
A
A
°C
°C/W
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VR=Rated VRRM
10
IF=8.0A
1.1
UNITS
μA
V
R3 (11-October 2013)

CBR8M-L100LEADFREE相似产品对比

CBR8M-L100LEADFREE CBR8M-L040LEADFREE CBR8M-L080LEADFREE CBR8M-L060LEADFREE CBR8M-L010LEADFREE CBR8M-L020LEADFREE
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 400V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 100V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 200V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4
针数 4 4 4 4 4 4
制造商包装代码 CASE DM CASE DM CASE DM CASE DM CASE DM CASE DM
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 400 V 800 V 600 V 100 V 200 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
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