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CBR8M-L080LEADFREE: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小474KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CBR8M-L080LEADFREE概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN

CBR8M-L080LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	R-PSFM-W4
针数	4
制造商包装代码	CASE DM
Reach Compliance Code	compliant
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-W4
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值正向电流	300 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	8 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN (315)
端子形式	WIRE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
Base Number Matches	1

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CBR8M-L010 SERIES

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

8.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR8M-L010 series

types are silicon, single phase, full wave bridge rectifiers

designed for general purpose, high current applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE DM

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL -L010

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

DC Blocking Voltage

100

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TC=100°C)

Peak Forward Surge Current

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL

SYMBOL

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

-L020

200

140

CBR8M

-L040 -L060

400

600

400

280

8.0

200

-65 to +150

3.0

600

420

-L080

800

560

-L100

1000

700

UNITS

°C

°C/W

CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

VR=Rated VRRM

IF=8.0A

1.1

UNITS

μA

R3 (11-October 2013)

CBR8M-L080LEADFREE相似产品对比

	CBR8M-L080LEADFREE	CBR8M-L040LEADFREE	CBR8M-L060LEADFREE	CBR8M-L010LEADFREE	CBR8M-L100LEADFREE	CBR8M-L020LEADFREE
描述	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 400V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 600V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 100V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 200V V(RRM), Silicon, CASE DM, 4 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4
针数	4	4	4	4	4	4
制造商包装代码	CASE DM	CASE DM	CASE DM	CASE DM	CASE DM	CASE DM
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4	R-PSFM-W4
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
最大非重复峰值正向电流	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
元件数量	4	4	4	4	4	4
相数	1	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V	400 V	600 V	100 V	1000 V	200 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10
厂商名称	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor

CBR8M-L080LEADFREE

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