Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NEC(日电) |
包装说明 | POWER, SOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 11 A |
最大漏源导通电阻 | 0.029 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3/e6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN/TIN BISMUTH |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
UPA2782GR-A | UPA2782GR | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
包装说明 | POWER, SOP-8 | POWER, SOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 11 A | 11 A |
最大漏源导通电阻 | 0.029 Ω | 0.029 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3/e6 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 44 A | 44 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | MATTE TIN/TIN BISMUTH | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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