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UPA2782GR: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小69KB，共6页; 制造商NEC(日电)

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UPA2782GR概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8

UPA2782GR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	POWER, SOP-8
Reach Compliance Code	compliant
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	11 A
最大漏源导通电阻	0.029 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

UPA2782GR相似产品对比

	UPA2782GR	UPA2782GR-A
描述	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8
是否Rohs认证	不符合	符合
包装说明	POWER, SOP-8	POWER, SOP-8
Reach Compliance Code	compliant	compliant
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	11 A	11 A
最大漏源导通电阻	0.029 Ω	0.029 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	e3/e6
元件数量	1	1
端子数量	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A	44 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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