NE68533-T2B,NE68533-T2B pdf中文资料,NE68533-T2B引脚图,NE68533-T2B电路-Datasheet-电子工程世界

NE68533-T2B: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小190KB，共5页; 制造商California Eastern Labs; 官网地址http://www.cel.com/

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NE68533-T2B概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

	NE68533-T2B	NE68533-T1B
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
厂商名称	California Eastern Labs	California Eastern Labs
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.03 A	0.03 A
集电极-发射极最大电压	6 V	6 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	65	65
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12000 MHz	12000 MHz

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