DRAM Module, 128KX1, 120ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ACCUTEK |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-18 |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | PAGE |
最长访问时间 | 120 ns |
其他特性 | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T18 |
内存密度 | 131072 bit |
内存集成电路类型 | DRAM MODULE |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 18 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -45 °C |
组织 | 128KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 256 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | NMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved